有些买了SuperARM2100开发板的用户反映:在按照我们资料的开发步骤编译出HEX文件后,不能烧录进ARM芯片,会出现问题,见下图:

提示说地址超出范围。


就这一问题下边做个详细回答。希望对初学者有用。

我们知道,ARM7的片内SARM地址是从0X40000000单元开始的,片内FLASH地址是从0X00000000单元开始的。HEX文件本身是包含地址的,他的地址到底从什么开始,这和具体的编译环境有关。见下图:

我们的每个编程模板提供3种变异模式,第一个DebugInRAM是在内部SRAM里调试的,编译出来的HEX文件是以地址0X40000000单元开始的。第二个DebugInFLASH才是在FLASH里调试,编译出来的程序可烧写。第三个也是在FLASH里调试,但一般不要用,会加密的,一旦用了,必须通过串口重新察除才能从新调试。

到现在我们应该明白有的用户为什么会出问题了。很简单,他选择了DebugInRAM调试模式,却把编译得到的HEX文件,FLASH里烧录。这样肯定会发生地址不匹配的情况。

题外话:引申一下,如果用户在DebugInRAM调试模式下选择生成BIN文件,则烧录不会出问题,但程序却不能正常运行。为什么,大家考虑一下!

2009年06月16日

SuperARM开发板HEX文件的烧写问题

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